تراشه‌های 3 نانومتری سامسونگ به‌زودی تولید خواهد شد

شرکت سامسونگ به سرمایه‌گذاران خود اعلام نمود که هفته‌ی آینده تولید تجاری لیتوگرافی 3 نانومتری MBCFET را به شکل انبوه آغاز کرد.

هرچه قدر زمان بیشتری سپری می‌شود رقابت در بازار قطعات نیمه‌هادی نیز شدیدتر خواهد شد و شرکت سامسونگ در تلاش است که خودش را به عنوان رهبر لیتوگرافی تراشه جا بزند.
شرکت سامسونگ برای دستیابی به این هدف در تلاش است تا قبل از فرارسیدن تابستان، تولید تجاری ویفرهای مبتنی‌بر لیتوگرافی 3 نانومتری را آغاز کند.
با توجه به گزارشات، سامسونگ در سال 2021 پیش‌بینی کرده بود تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری را قبل از پایان نیمه‌ی اول 2022 آغاز کند و یک سال بعد سراغ نسل دوم این لیتوگافی برود.
شرکت سامسونگ چند روز قبل در یکی از گفت‌وگوهای خود با سرمایه‌گذاران خود بیان نمود که در هفته‌های آینده تولید انبوه تراشه‌های سه نانومتری را آغاز می‌کند.
امروزه هنوز هیچ‌کدام از شرکت‌های تولید تجاری تراشه‌های سه نانومتری را آغاز نکرده و سامسونگ تلاش می‌کند به اولین شرکت تبدیل شود. نکته‌ی دیگر این می‌باشد که لیتوگرافی سه نانومتری سامسونگ اولین لیتوگرافی مبتنی‌بر ترانزیستورهای GAAFET خواهد بود.
سامسونگ نسخه‌‌ی اختصاصی خود از ترانزیستورهای GAAFET را MBCFET خطاب می‌کند.

شرکت سامسونگ به مزایای لیتوگرافی جدید MBCFET نسبت به لیتوگرافی هفت نانومتری FinFET اشاره کرده است. این شرکت بیان نمود که ترانزیستورهای MBCFET در ولتاژ زیر 0.75 ولت نیز کار می‌کنند تا مصرف انرژی به میزان حداکثر 50 درصد کاهش یابد و قدرت پردازشی 30 درصد بهبود پیدا کند. همچنین پیش‌بینی خواهد شد تراشه‌های 3 نانو متری تا 45 درصد کوچک‌تر باشند.
این‌گونه به نظر می‌آید که تراکم ترانزیستورها در ویفرهای سه نانومتری سامسونگ مشابه لیتوگرافی Intel 4 و TSMC 5N است، اما ویفرهای سامسونگ احتمالا به لطف کانال‌های پهن‌تر و کاهش جریان نشتی می‌توانند عملکرد بهتری از خود نشان دهند.
بزرگ‌ترین ابهام، بازده ویفرهای جدید سامسونگ است. سامسونگ در بازه لیتوگرافی چهار نانومتری با مشکلات گسترده مواجه شد و در نتیجه‌ی آن شماری از مشتریان مهم مانند کوالکام تصمیم گرفتند برای تراشه‌های بعدی سراغ TSMC بروند.
دیگر شرکت‌ها مانند اینتل و TSMC تصمیم دارند در سال‌های قبل سراغ ترانزیستورهای GAAFET بروند و احتمالا مهاجرت به این نوع ترانزیستورها برای دو شرکت یادشده بسیار پرهزینه خواهد بود.
سامسونگ می‌گوید سازگاری MBCFET با تجهیزات و فرآیند تولید FinFET نه تنها سرعت توسعه‌ی ترانزیستورهای جدید را بالا برده، بلکه سبب کاهش هزینه‌ها شده است.
سامسونگ باین نمود در فصل اول سال جاری میلادی تمام تراشه‌هایی را که تولید کرده به فروش رسانده و انتظار دارد تقاضا برای DRAM و محصولات NAND در ماه‌های آینده بالا باشد.
این کمپانی در سه ماهه‌ی اول سال جاری میلادی 11.2 میلیارد دلار سود عملیاتی کسب کرد که بیش از نیمی از این سود توسط واحد تراشه ساز به دست آمد.

محدثه خلیلیان